SJ 50033.156-2002 半导体分立器件 3DA505型硅微波脉冲功率晶体管详细规范
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ID： |
B69C7E9772334208AED47F97008D1E8B |
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文件大小(MB)： |
0.21 |
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页数： |
8 |
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日期： |
2009-6-11 |
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阳确︾,昌,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 500331156-2002,半导 体 分 立 器 件,3DA505型硅微波脉冲功率晶体管,详细 规 范,Semiconductor discrete devices,Detailsp ecificationf or帅e3 DA505s iliconm icrowavep ulsep owertr ansistor,2002-10-30发布2003-03-01实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导 体 分 立 器 件,3DA505型硅微波脉冲功率晶体管详细规范sJ 50033/156-W-2002,Se mi co nd uc to rd is cr ete d ev ic es,Detail specification for type 3DA505 silicon microwave pulse power transistor,1 范围,1.1 主题内容,本规 范 规定 了3DA505型硅撷被脉冷场鑫澡体V"-kIt 简茸弩娜的谨细要求,1.2 适用范围,本规 范 适 用于器件的研制、哩萝和采购,1.3 分类,本规 范 根 据器傅质量保证等级进标分炎,1.3.、器件的等缓,按G JB 3 3A -1-9,7,.彝导'W }..;} -瓣 惫规范矶工11A的规定，提供的淤童瑰证等级爹o难级、特军级,和超特军级三级才邪用拼母介;'.:JT和JC1'表示0,2 引用文件,GB IT 4 58 7--94"半导体器计毖‘一分立含髻件和集成电蹈万第沙部分:狱极型晶体管,GJB 3 3A --97.半导体万笠器沦仁总规范,GJB 1 28A --0,’笋导体分立器件试验方法‘,3 要求,3。1 详细要求,各项 要 求 应按GJB3 31-和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件 的 设计 、结构和外形尺寸捡谈白B33或和本h选的规洛,3.2.1弓咄端材料和镀涂层,发射 极 和 集电极引出端材料为可伐合金带，基极引出端材料为钨铜合金，引出端表面镀金.,3.2‘2 器件结构,本器 件 是 采用硅外延台面结构的NPN型晶体管，并具有阻抗匹配网络,中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布2003-03-01实施,sJ 50033/156-2002,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸见图1,G 翻m,勃,代号,尺寸,功」且m ax,A 6.0,bx 9.3 9.5,av 9.3 9.5,C 0.07 0.13,D 3.17 3.43,F 1.4 1.6,G 10.03 10.29,K 9.63 9.93,L 20.5 24.5,Q 2.85 3.35,q 16.36 16.66,U 22.70 23.33,E— 发射极B‘一一基极C— 集电极,图1 外形图,3.3,3.3.1,最大额定值和主要电特性,最 大额定值,\ p4u a),W,Tc=25℃,bcs o,V,性BO,V,Ic,人,冰了沃-T,36 00,过激励,dB,T1,℃,Tst,9,℃,3DA505 60 70 3 is 3:丈1 200 -65^200,1) Tc725℃时按343m WIK线性降额.,5J 50033/156--2002,3.3.2 主要电特性(TA 25℃),又hFE1,L不rcf l t,V,ICRO,mA,AGp,dB,PO,W,77,%,RL,dB,R。。、，分,幻 W,凡E=5 V,Ic=3 A,份3A,几=0.6A,xb=40 V 牲c--40 V, Pj,=40 W,户 I.2^-1.4G Hx,iw=150 ps,D=100/0,Vcr,=12 V,IC= 3A,tw=1 ms,最小最大最大最大最大最小最小最小最大,3DA505A,10 100 1.2 10 1.25,220,50 9 2.9,3DA505B 240,3.4 测试要求,电测 试 应 符合GJB3 3A及本规范的规定,3.5 标志,本器 件 电 极标志见图1,器件篷应有如下标志:,a. 器 件 型号;,b二 质 量 保证等级扩,C. 承 制方标志;,d 批识别代藏‘;_,4 质量保证规定,4.1’抽样和检验,抽样 和 检 验按-GJB_33 A和本规范的规忽飞,4.2 鉴定检验,鉴定 检验 按 GJ1333A`及本规范衷1,表2,表、乡和表4'的效是、,4.3 筛选(仅对JT和JOT级〕,筛选 应 按本 规范的规霭二私其测试成拉本规范表1.钓规定进行，二超过本巍抢若1f.极 限厦的器件应剔,除,筛选要求,筛选穿 徐冰 和 要求,汀 .加 r允 T 级,1.内部目检20允:,2.高温寿命1032 204"℃，48h,3.沮度循环1051 试验条件F, 20次,4.恒定加速度2006 Y.方向9 800 mls2，不要求保持1 min.,7.密封,a. 细 检 漏,b， 粗 检 漏,1071 试验条件Hl, 517 kPa, 4 h, 50 mPaem3ls.,试验条件ca,10.高温反偏1039 试验条件A, T'k二150℃，YC,8=56 V, r-48 h,11.中间测试hFEI+ ICBOI,U.功率老炼1039,试验条件B, Tj=187.5士12.5℃,rcE=12 V, Pt}t>,25 W, 160h,13.终点测试,Mca。为初始值的100%或5 mA，取较大者:,lAhFF1〔初始值的20%,SJ 500331156-2002,4.4 质量一致性检验,4.4.1 A组检验,A组 检 验 应按GJB……
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